Hôm qua, Samsung Electronics - công ty hàng đầu thế giới về công nghệ bộ nhớ tiên tiến đã công bố sự phát triển của mô-đun bộ nhớ DDR5 đầu tiên trong ngành dựa trên công nghệ High-K Metal Gate (HKMG) với dung lượng 512GB cực khủng để nhắm đến AI / ML, siêu tính toán exascale, phân tích, mạng và các khối lượng công việc đòi hỏi nhiều dữ liệu khác.

Bộ nhớ DDR5 512GB được tạo ra nhờ cấu trúc TSV 8 lớp DRAM 16GB (TSV lần đầu tiên được sử dụng trong DRAM vào năm 2014 khi Samsung giới thiệu các mô-đun máy chủ có dung lượng lên đến 256GB) và công nghệ HKMG (đã được áp dụng trong bộ nhớ GDDR6 của Samsung vào năm 2018) giúp giảm 13% điện năng trong khi hiệu suất tăng gấp đôi so với DDR4. Về Thông số kỹ thuật, bộ nhớ GDDR5 512GB của Samsung cung cấp tốc độ lên đến 7200 MB/s và có tổng cộng 40 chip DRAM với mỗi chip DRAM có tám lớp gồm các mô-đun DRAM 16 Gb được xếp chồng lên nhau và được kết nối với TSV (Through-Silicon-Via).

Bằng cách mở rộng việc sử dụng DDR5, Samsung đang tiếp tục củng cố vị trí dẫn đầu của mình trong công nghệ DRAM thế hệ tiếp theo. Chúng ta có thể mong đợi sự ra mắt của bộ nhớ này vào cuối năm nay khi các nền tảng hỗ trợ bộ nhớ DDR5 bắt đầu lên kệ và mức giá dự kiến cho các mô-đun bộ nhớ dung lượng lớn như vậy có thể sẽ khá cao. Hãy theo dõi 3dcomputer.vn để cập nhật các tin tức công nghệ mới nhất nhé!
 

Theo: videocardz, wccftech